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二硒化鋯晶體 ZrSe2 (Zirconium Selenide) 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.377, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
晶體尺寸：亞毫米大小 電學特性：金屬 晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系 晶胞參數(shù)：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90°，β= 102.87 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體尺寸：8毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷 晶胞參數(shù)：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ= 97.50 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
三硒化鋯晶體（99.995%） ZrSe3 (Zirconium Triselenide) 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.541 nm, b = 0.375 nm, c = 0.944 nm, α = γ = 90°, γ = 97.50° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硒化鉬晶體 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-N型 晶體尺寸：~10毫米 電學特性：N型半導體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：99.995%
二硒化鎢晶體 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：半導體，P型 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
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