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      單層氧化石墨烯（H法/進口）
      
            
      簡要描述：單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
      制備方法：改良的H法
      直徑：1~5um
      厚度：0.8~1.2nm
      單層比：99%
      純度：99%
      堆積密度：0.44g/cm3
      體積密度：為0.26g/cm3 
      
            
        

      • 更新時間：2024-06-04
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      • 產品型號： 
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      • 廠商性質：生產廠家
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      • 訪  問  量：1391
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      詳細介紹
      
            
      
            	
      單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
      制備方法：改良的H法
      直徑：1~5um
      厚度：0.8~1.2nm
      單層比：99%
      純度：99%
      堆積密度：0.44g/cm3
      體積密度：為0.26g/cm3



      TEM of Graphene Oxide



      *The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound

        
            
      
            
            
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